ໂຄນ Ion Beam

SIKAIDA Ion Beam Cones ແມ່ນອົງປະກອບຫຼັກຂອງ ion beam implantation ແລະລະບົບສາຍສົ່ງ. ຜະລິດຈາກວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ກ້າວຫນ້າທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຖືກປຸງແຕ່ງໂດຍຜ່ານການສີດແມ່ພິມທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະການເຜົາຕົວດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງ, ພວກມັນປະກອບດ້ວຍເນື້ອໃນ impurity ຕ່ໍາທີ່ສຸດ, ຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງມິຕິລະດັບທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ພວກເຂົາສາມາດຖືກເຄື່ອງຈັກເຂົ້າໄປໃນເລຂາຄະນິດທີ່ສັບສົນເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄວາມທົນທານສູງ, ເຮັດໃຫ້ພວກມັນເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການປູກຝັງ semiconductor ion ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ.

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບໃນປະເທດຈີນ, SIKAIDA ສະຫນອງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ແລະສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ ion beam cones ໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າທົ່ວໂລກໃນ semiconductor, ຈໍສະແດງຜົນຮາບພຽງ, optics, microelectromechanical systems (MEMS), ແລະພາກສະຫນາມພະລັງງານແສງຕາເວັນ. SIKAIDA ເປັນຜູ້ສະຫນອງໃນໄລຍະຍາວທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະໂຮງງານຜະລິດທີ່ອຸທິດຕົນສໍາລັບອົງປະກອບຂະບວນການ ion beam ຊັ້ນສູງ.

ວັດສະດຸ ແລະການຜະລິດ

1. ວັດສະດຸ

Ion Beam Cones ໃຊ້ວັດສະດຸລວມທັງອາລູມິນຽມ (Al₂O₃) ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ ≥99.9%, ຊິລິຄອນ nitride (Si₃N₄) ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ ≥99.5%, zirconium oxide (ZrO₂) ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ ≥99.8%, ແລະ fused silica (99.99%). ວັດສະດຸທັງຫມົດຕອບສະຫນອງມາດຕະຖານຄວາມບໍລິສຸດທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະເຫມາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການການປະຕິບັດຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕ່າງໆ.

2. ຂະບວນການຜະລິດ

ຂະບວນການຜະລິດປະກອບມີການສີດແມ່ພິມທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, sintering ອຸນຫະພູມສູງ, ເຄື່ອງຈັກຄວາມແມ່ນຍໍາ CNC, ການຂັດລະດັບກະຈົກ, ແລະການທໍາຄວາມສະອາດແລະການທົດສອບອັດຕະໂນມັດ. ແຕ່ລະຂະບວນການຖືກຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດສໍາລັບຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄຸນນະພາບເພື່ອຮັບປະກັນວ່າຜະລິດຕະພັນສຸດທ້າຍໄດ້ມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາແລະຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.

ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນທີ່ສໍາຄັນ

1. ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງມິຕິລະດັບ

Ion Beam Cones ມີຄວາມທົນທານຄວບຄຸມພາຍໃນ ± 0.05mm, ດ້ານ roughness Ra≤0.4μm, ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງຮູພາຍໃນ ±0.02mm, coaxiality ≤0.03mm, ແລະ perpendicularity ≤0.02mm. ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງມິຕິລະດັບສູງທີ່ສຸດນີ້ຮັບປະກັນຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງລະບົບສາຍສົ່ງ ion beam.

2. ການປິ່ນປົວຜິວຫນ້າ

ການປິ່ນປົວພື້ນຜິວປະກອບມີການຂັດກົນຈັກສໍາລັບການສໍາເລັດຮູບກະຈົກ, ການເຄືອບ UV-cured ເພື່ອເສີມຂະຫຍາຍຄຸນສົມບັດຂອງພື້ນຜິວ, ການເຄືອບຕ້ານຮອຍຂີດຂ່ວນເພື່ອປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ແລະການ pickling ອາຊິດແລະການ passivation ເພື່ອເອົາ impurities ແລະປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງ. ວິທີການປິ່ນປົວທີ່ເຫມາະສົມສາມາດໄດ້ຮັບການຄັດເລືອກໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.

3. ຕົວຊີ້ວັດການປະຕິບັດ

Ion Beam Cones ດໍາເນີນການພາຍໃນອຸນຫະພູມຂອງ -196 ℃ເຖິງ +800 ℃, ຮັບປະກັນການດໍາເນີນງານທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມທີ່ຮ້າຍໄປ. ພວກມັນມີຄວາມຕ້ານທານປະລິມານ≥10¹⁴Ω·cm ແລະຄວາມຕ້ານທານດ້ານຜິວ ≥10¹²Ω, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄຸນສົມບັດການສນວນກັນຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ. ພວກເຂົາຍັງມີຄວາມຕ້ານທານທີ່ໂດດເດັ່ນຕໍ່ການກັດກ່ອນຂອງ plasma ແລະການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີ, ໃຫ້ພວກເຂົາປັບຕົວເຂົ້າກັບສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການທີ່ສັບສົນ.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກ

1. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Ultra: ຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດຖຸດິບເກີນ 99.9%, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງ wafers semiconductor, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດໄຟຟ້າທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງອຸປະກອນ, ແລະຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄວາມບໍລິສຸດທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງການຜະລິດ semiconductor.

2. ຄວາມຖືກຕ້ອງທາງ Geometric ສູງຫຼາຍ: ຮັບປະກັນຂະຫນາດຜະລິດຕະພັນທີ່ສອດຄ່ອງໃນລະຫວ່າງການຜະລິດມະຫາຊົນ, ມີຄວາມຜິດພາດ taper ຄວບຄຸມພາຍໃນ ± 0.05mm ແລະຄວາມຜິດພາດ roundness ≤0.02mm, ຊັດເຈນກົງກັບຄວາມຕ້ອງການການຕິດຕັ້ງແລະການນໍາໃຊ້ຂອງລະບົບສາຍສົ່ງ ion beam.

3. ຄຸນະພາບຫນ້າດິນທີ່ຄ້າຍຄືກະຈົກ: ຄວາມຫຍາບຂອງຫນ້າດິນRa≤0.4μm, ປະສິດທິພາບການຫຼຸດຜ່ອນການກະແຈກກະຈາຍຂອງ ion beam, ປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການສົ່ງຜ່ານ ion beam, ແລະເພີ່ມຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງ implantation ຂອງອຸປະກອນ semiconductor.

4. ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຊ່ວງອຸນຫະພູມກວ້າງ: ປະຕິບັດການຢ່າງຫມັ້ນຄົງໃນ cryogenic ເລິກກັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ອຸປະກອນການມີຄ່າສໍາປະສິດຕ່ໍາສຸດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ, ຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິທີ່ດີເລີດເຖິງແມ່ນວ່າມີການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມ, ປ້ອງກັນຜົນກະທົບປະສິດທິພາບຈາກການເຫນັງຕີງຂອງອຸນຫະພູມ.

5. insulation ທີ່ດີເລີດແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion: ປະສິດທິພາບປ້ອງກັນການສະສົມຂອງຄ່າບໍລິການໃນລະຫວ່າງການສົ່ງ beam ion ແລະທົນທານຕໍ່ອາຊິດທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ເປັນດ່າງທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ແລະ corrosion plasma ຕ່າງໆ, ຮັບປະກັນການດໍາເນີນງານທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນໄລຍະຍາວໃນສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການສະລັບສັບຊ້ອນ.

ບໍລິການປັບແຕ່ງ

ຮູບແບບແລະຂະຫນາດຂອງຜະລິດຕະພັນສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ຮູບແບບການແຕ້ມທີ່ຮອງຮັບລວມມີ STP, STEP, IGS, XT, DXF, DWG, PDF, ແລະຕົວຢ່າງທາງກາຍະພາບ. ກ່ຽວກັບເວລາການຈັດສົ່ງ, ການຈັດສົ່ງຕົວຢ່າງແມ່ນ 4-7 ອາທິດ, ແລະການຈັດສົ່ງຜະລິດຕະພັນ batch ແມ່ນ 8-12 ອາທິດ. ລະບົບຄຸນະພາບຂອງພວກເຮົາປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ ISO9001: 2015, SGS RoHS, REACH, ແລະ SEMI, ຮັບປະກັນຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນແລະປະສິດທິພາບການຈັດສົ່ງຢ່າງຄົບຖ້ວນ.

ພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

Ion Beam Cones ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຫຼາຍຂົງເຂດ, ລວມທັງເຄື່ອງປູກຝັງ ion ໃນການຜະລິດ semiconductor, ອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງໃນຈໍສະແດງຜົນຮາບພຽງ, ion beam deposition (IBD) ແລະ ion beam etching (IBE) systems in optical device manufacturing, microelectromechanical systems (MEMS) , ion doping equipment for solar cells, and ion power implantation such as semiconductation process. transistors (IGBTs) ແລະພະລັງງານ MOSFETs.

ຄຳຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ:

Q1: ວັດສະດຸໃດທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍທົ່ວໄປໃນ Ion Beam Cones?

A1: ພວກເຮົາຕົ້ນຕໍແມ່ນໃຊ້ວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ກ້າວຫນ້າເຊັ່ນອາລູມິນຽມທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ (Al₂O₃), ຊິລິຄອນ nitride (Si₃N₄), ແລະ zirconium oxide (ZrO₂). ວັດສະດຸເຫຼົ່ານີ້ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ແລະຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

Q2: UET ສາມາດສະຫນອງການກໍາຫນົດເອງແລະການປິ່ນປົວພື້ນຜິວບໍ? 

A2: ແມ່ນແລ້ວ. UET ສາ​ມາດ​ປັບ​ຂະ​ຫນາດ​, taper​, ປະ​ເພດ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ​, ແລະ​ການ​ປິ່ນ​ປົວ​ດ້ານ​ຂອງ​ໂກນ​ໄດ້​ຕາມ​ຄວາມ​ຕ້ອງ​ການ​ຂະ​ບວນ​ການ​ຂອງ​ທ່ານ​. ພວກເຮົາມີປະສົບການການຜະລິດຢ່າງກວ້າງຂວາງແລະສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະຂອງລູກຄ້າ.

Q3: ຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄຸນນະພາບຂອງ Ion Beam Cones ຮັບປະກັນແນວໃດ?

A3: ພວກເຮົາຮັບຮອງເອົາລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບ ISO9001: 2015 ແລະມີອຸປະກອນການທົດສອບຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ລວມທັງເຄື່ອງວັດແທກການປະສານງານ, ເຄື່ອງທົດສອບຄວາມຫຍາບຂອງຫນ້າດິນ, ແລະເຄື່ອງວັດແທກ fluorescence X-ray, ເພື່ອຮັບປະກັນວ່າທຸກໆຊຸດຂອງຜະລິດຕະພັນຕອບສະຫນອງມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາທີ່ເຂັ້ມງວດ.

Q4: ວົງຈອນການຈັດສົ່ງແມ່ນຫຍັງ?

A4: ວົງຈອນການຈັດສົ່ງຕົວຢ່າງແມ່ນ 4-7 ອາທິດ, ແລະວົງຈອນການຈັດສົ່ງຜະລິດຕະພັນ batch ແມ່ນ 8-12 ອາທິດ. ວົງຈອນສະເພາະແມ່ນຂຶ້ນກັບຄວາມສັບສົນຂອງຜະລິດຕະພັນແລະປະລິມານການສັ່ງຊື້.